一、引言

半導體制造對測量精度的要求隨著制程升級不斷提升，傳統測量裝備已難以滿足 7nm 及以下制程的檢測需求。長期以來，國外企業主導高端半導體測量裝備市場，其技術標準成為行業默認基準。新啟航通過技術創新實現精度突破，推動國產裝備從跟跑向領跑轉變，為定義半導體測量新基準提供可能。

二、核心技術突破：精度革命的根基

2.1 高精度光學系統創新

新啟航研發出超分辨激光干涉光學系統，采用飛秒激光光源與非球面衍射透鏡組合，通過優化光路消像差設計，將光學分辨率提升至 0.05μm。同時，引入自適應光學技術，實時補償環境振動與溫度變化對光路的影響，確保測量穩定性，光學系統誤差控制在 ±0.01nm 以內。

2.2 智能化算法與數據處理

基于深度學習構建測量模型，通過百萬級半導體晶圓缺陷樣本訓練，算法可自動識別測量環境中的干擾因素并進行動態修正。開發出三維形貌快速重構算法，將數據處理時間縮短至傳統方法的 1/5，同時實現亞納米級測量重復性（3σ≤0.03nm），突破傳統算法的精度瓶頸。

三、性能指標的跨越式提升

3.1 關鍵參數對標與超越

新啟航半導體測量裝備在核心指標上實現突破：測量范圍覆蓋 1mm×1mm 至 10mm×10mm，橫向分辨率達 0.01μm，縱向分辨率達 0.005nm，較國際主流設備提升 3 倍。在 3D 形貌測量中，平面度測量誤差≤0.1nm/10mm，優于傳統設備的 0.5nm/10mm 指標，建立起更高的精度標準。

3.2 動態測量能力革新

針對半導體晶圓高速生產場景，開發動態跟蹤測量技術，實現對移動速率達 1m/s 的晶圓進行實時測量，測量響應時間≤1ms，解決傳統設備在動態場景下精度下降的問題，為高速生產線提供精準檢測支持。

四、應用場景的基準驗證

4.1 先進制程工藝適配

在 7nm FinFET 制程晶圓檢測中，新啟航裝備可精準測量鰭片高度（誤差≤0.3nm）與柵極寬度（誤差≤0.5nm），數據一致性較進口設備提升 20%。通過與中芯國際、長江存儲等企業合作驗證，其測量結果成為工藝優化的基準參考數據。

4.2 新材料測量標準建立

針對第三代半導體材料（如 SiC、GaN）的異質結界面檢測，開發專用測量模塊，實現對界面粗糙度（Ra≤0.02nm）的精準表征，填補國內相關測量標準的空白，被納入行業檢測規范。

五、國產化供應鏈的支撐

新啟航聯合國內光學企業開發出超精密光柵尺（精度 0.01μm）與壓電驅動平臺（定位誤差≤0.5nm），實現核心部件國產化率 100%。通過建立全鏈條質量管控體系，確保零部件一致性，為裝備長期穩定運行提供保障，支撐其測量基準的權威性。 

大視野 3D 白光干涉儀：納米級測量全域解決方案

突破傳統局限，定義測量新范式！大視野 3D 白光干涉儀憑借創新技術，一機解鎖納米級全場景測量，重新詮釋精密測量的高效精密。

三大核心技術革新

1）智能操作革命：告別傳統白光干涉儀復雜操作流程，一鍵智能聚焦掃描功能，輕松實現亞納米精度測量，且重復性表現卓越，讓精密測量觸手可及。

2）超大視野 + 超高精度：搭載 0.6 倍鏡頭，擁有 15mm 單幅超大視野，結合 0.1nm 級測量精度，既能滿足納米級微觀結構的精細檢測，又能無縫完成 8 寸晶圓 FULL MAPPING 掃描，實現大視野與高精度的完美融合。

3）動態測量新維度：可集成多普勒激光測振系統，打破靜態測量邊界，實現 “動態” 3D 輪廓測量，為復雜工況下的測量需求提供全新解決方案。

實測驗證硬核實力

1）硅片表面粗糙度檢測：憑借優于 1nm 的超高分辨率，精準捕捉硅片表面微觀起伏，實測粗糙度 Ra 值低至 0.7nm，為半導體制造品質把控提供可靠數據支撐。

（以上數據為新啟航實測結果）

有機油膜厚度掃描：毫米級超大視野，輕松覆蓋 5nm 級有機油膜，實現全區域高精度厚度檢測，助力潤滑材料研發與質量檢測。

高深寬比結構測量：面對深蝕刻工藝形成的深槽結構，展現強大測量能力，精準獲取槽深、槽寬數據，解決行業測量難題。

分層膜厚無損檢測：采用非接觸、非破壞測量方式，對多層薄膜進行 3D 形貌重構，精準分析各層膜厚分布，為薄膜材料研究提供無損檢測新方案。

新啟航半導體，專業提供綜合光學3D測量解決方案！